碳化硅（SiC）陶瓷碳化硅（SiC）是一种高性能陶瓷材料，具有以下突出特性： 1. 极高的硬度与耐磨性     莫氏硬度 9.2-9.5，仅次于金刚石和立方氮化硼（CBN），适合极端磨损环境（如轴承、密封件、切削工具）。     耐磨性优于氧化铝（Al₂O₃）和碳化钨（WC），使用寿命长。 2. 优异的高温性能     耐高温达1600°C（空气中）甚至更高（惰性环境中可达2000°C），优于大多数金属和陶瓷。     高温下仍保持高强度，适用于航空发动机、燃气轮机热端部件。 3. 出色的化学稳定性    耐酸碱腐蚀（除氢氟酸和熔融强碱外），可用于化工反应器、泵阀等腐蚀环境。     抗氧化性强，高温下表面形成SiO₂保护层，阻止进一步氧化。 4. 高热导率与低热膨胀     热导率（120-200 W/m•K）接近金属铝，但热膨胀系数（4.5×10⁻⁶/K）远低于金属，抗热震性能优异，适合骤冷骤热环境（如半导体晶圆夹具）。 5. 良好的电学性能     可作为半导体材料（禁带宽度3.2 eV，用于高温/高频电子器件）。     高击穿电场强度，适用于高压电力设备（如SiC MOSFET、二极管）。

直孔喷嘴具有结构简单的特点，只有收敛段和直线段。这种喷嘴存在入口区域涡流、高压损失和出口速度低的问题，出口射流速度低至文丘里喷嘴的50%。直孔喷嘴通常用于喷射强度低、封闭结构窄的喷砂机中。BR-SB系列直孔喷嘴可提供螺纹连接和法兰连接，用于要求不高的开放式喷砂工艺。

碳化硼（B₄C）因其独特的物理和化学性质，在装甲防护领域具有显著优势，以下是其主要优点： 1.极高的硬度 .莫氏硬度达9.6，仅次于金刚石和立方氮化硼，能有效抵御子弹、弹片等高速冲击物的侵彻。 .抗压强度高（约2.9GPa），适合作为复合装甲的正面层，直接吸收冲击能量。 2.轻量化 .密度低（2.52g/cm³），仅为钢的1/3，碳化硅（SiC）的85%，在同等防护等级下可大幅减轻装甲重量，适用于车辆、飞机和单兵防护装备（如防弹插板）。 3.优异的抗弹性能 .高弹性模量（450-470GPa）和断裂韧性，能通过碎裂、钝化等方式消耗弹体动能。 .对小口径穿甲弹（如7.62mmAP）和弹丸破片的防护效率显著优于传统金属装甲。 4.耐高温与化学稳定性 .熔点高（2450°C），在高温环境下仍能保持结构强度。 .耐酸碱腐蚀，适合恶劣环境（如海军装备或化工防护）。 5.中子吸收能力 .硼元素具有高热中子吸收截面（600barn），可用于核辐射屏蔽或核设施防护，兼具结构性与功能性。 6.多功能复合设计 .常与碳纤维、凯夫拉纤维、超高分子量聚乙烯纤维、陶瓷层压材料或金属背板（如钛合金）结合，形成梯度防护结构，提升抗多次打击能力。 7.局限性及应对措施： .脆性大：受冲击易开裂，需通过纳米改性、添加增韧相（如SiC颗粒）或优化烧结工艺改善。 .成本高：粉末制备和烧结工艺复杂，多用于关键部位（如装甲车辆正面或飞行员防护）。 典型应用： -军用：装甲车复合装甲、直升机防弹板、单兵防弹衣（如美军“拦截者”装甲的增强版）。 -民用：防暴车辆、贵重物品运输装甲、核电站防护组件。 碳化硼在轻量化与高防护需求的场景中不可替代，未来通过材料复合与工艺优化将进一步拓展其应用边界。

碳化硼（B₄C）因其独特的物理和化学性质，在装甲防护领域具有显著优势，以下是其主要优点： 1.极高的硬度 .莫氏硬度达9.6，仅次于金刚石和立方氮化硼，能有效抵御子弹、弹片等高速冲击物的侵彻。 .抗压强度高（约2.9GPa），适合作为复合装甲的正面层，直接吸收冲击能量。 2.轻量化 .密度低（2.52g/cm³），仅为钢的1/3，碳化硅（SiC）的85%，在同等防护等级下可大幅减轻装甲重量，适用于车辆、飞机和单兵防护装备（如防弹插板）。 3.优异的抗弹性能 .高弹性模量（450-470GPa）和断裂韧性，能通过碎裂、钝化等方式消耗弹体动能。 .对小口径穿甲弹（如7.62mmAP）和弹丸破片的防护效率显著优于传统金属装甲。 4.耐高温与化学稳定性 .熔点高（2450°C），在高温环境下仍能保持结构强度。 .耐酸碱腐蚀，适合恶劣环境（如海军装备或化工防护）。 5.中子吸收能力 .硼元素具有高热中子吸收截面（600barn），可用于核辐射屏蔽或核设施防护，兼具结构性与功能性。 6.多功能复合设计 .常与碳纤维、凯夫拉纤维、超高分子量聚乙烯纤维、陶瓷层压材料或金属背板（如钛合金）结合，形成梯度防护结构，提升抗多次打击能力。 7.局限性及应对措施： .脆性大：受冲击易开裂，需通过纳米改性、添加增韧相（如SiC颗粒）或优化烧结工艺改善。 .成本高：粉末制备和烧结工艺复杂，多用于关键部位（如装甲车辆正面或飞行员防护）。 典型应用： -军用：装甲车复合装甲、直升机防弹板、单兵防弹衣（如美军“拦截者”装甲的增强版）。 -民用：防暴车辆、贵重物品运输装甲、核电站防护组件。 碳化硼在轻量化与高防护需求的场景中不可替代，未来通过材料复合与工艺优化将进一步拓展其应用边界。

与直孔喷嘴相比，单进风喷嘴具有更好的气体动力学性能，涡流改善强，压力损失小。这种喷嘴可以提高磨料的动量，增加冲击能量，提高清洁效果。该系列广泛应用于喷砂过程中，要求喷砂距离长、清理面积大、冲击力大的场所。

喷砂机喷嘴的“双进风”设计通过引入第二路（副）压缩空气，在关键的喉管或扩散段区域对磨料进行二次冲击和加速，从而大幅提升了磨料的最终喷射速度、喷砂效率、磨料引射能力和稳定性。它是追求极致生产力和处理高难度任务时的有力武器。然而，这种性能提升是以更高的压缩空气消耗、设备成本和系统复杂性为代价的。用户在选择时，需要根据具体的作业需求（效率要求、基材硬度、磨料类型、预算、空压机能力）进行权衡。对于需要最高效率和应对挑战性工况的专业喷砂作业，双进风喷嘴通常是值得投资的选择。

氮化铝是一种由氮（N）和铝（Al）元素通过共价键结合形成的六方纤锌矿结构的人工合成陶瓷。它结合了多种优异的物理和化学性能，使其在众多高科技领域成为关键材料。   主要特性 1.极高的热导率： 这是氮化铝最突出的优点。其理论热导率高达 320 W/(m·K)（接近金属铝的2倍），远高于常用的氧化铝陶瓷（约20-30 W/(m·K)）。 即使在高温下（200-300°C），其热导率也能保持在较高水平（>200 W/(m·K)），这对于高温应用的散热至关重要。 优异的导热性能是其广泛应用于电子封装和散热领域的核心原因。   2.良好的电绝缘性： 具有很高的电阻率（>10¹⁴ Ω·cm），是优秀的绝缘体。 介电常数较低（约8-9 @ 1MHz），介电损耗小（<0.001 @ 1MHz），使其非常适合高频、高速电子应用。   3.与硅匹配的热膨胀系数： 热膨胀系数（CTE）约为 4.5-5.0 × 10⁻⁶ /K（室温至300°C），非常接近单晶硅（约 3.5-4.0 × 10⁻⁶ /K）和砷化镓（GaAs，约 5.8 × 10⁻⁶ /K）。 这种匹配性在半导体封装中极其重要，能显著减少芯片与基板/封装体之间的热应力，提高器件的可靠性和寿命。   4.高机械强度和硬度： 具有较高的弯曲强度和维氏硬度，机械性能优于氧化铝。   5.优异的化学稳定性和耐腐蚀性： 在常温下非常稳定，耐大多数酸、碱和熔融金属（如铝、镓）的腐蚀。 在空气中，高温下（>700°C）表面会缓慢氧化形成氧化铝保护层。   6.宽禁带半导体特性（本征）： 带隙宽度高达 ~6.2 eV，属于超宽禁带半导体材料。这使其具有很高的临界击穿电场、较低的漏电流和潜在的高温、高频、高功率电子器件应用前景（但掺杂实现n型和p型导电性仍具挑战性，是其作为半导体应用的瓶颈）。   7.良好的光学性能： 在紫外到红外波段（约0.2-6 μm）具有高透过率（理论值>80%），可用于光学窗口和传感器。 也是优异的声光材料。   二、 氮化铝的应用 基于以上卓越特性，氮化铝主要应用于需要高效散热、电绝缘、热匹配和可靠性的领域： 1.电子封装与基板： 高功率LED封装基板： 这是目前最大规模的应用。AlN基板能有效导出LED芯片产生的大量热量，显著提高发光效率、亮度和器件寿命。 大功率半导体模块（IGBT， SiC， GaN）基板： 用于电力电子、电动汽车、轨道交通、工业变频器等。AlN覆铜板（DBC或AMB）能承受高功率密度和高温，提供优异的绝缘和散热能力。 微波射频（RF）封装与基板： 低介电常数和损耗使其非常适合高频电路（如基站、雷达、卫星通信）。 多芯片模块（MCM）和混合集成电路（HIC）基板： 提供高密度互连所需的散热和电绝缘。 激光二极管（LD）热沉： 高效散热对LD性能和寿命至关重要。 2.散热部件： 用于CPU、GPU等高发热电子元件的散热片、散热盖。 热电制冷器（TEC）的基板。 需要高导热绝缘的散热结构件。 3.压电与声表面波器件： 具有压电效应，可用于制造高温、高频声表面波（SAW）滤波器、体声波（BAW）谐振器等器件。 4.宽禁带半导体材料： 作为超宽禁带半导体，在深紫外光电器件（如UVC LED、探测器）、高温/高频/高功率电子器件（如HEMT）、辐射探测器等方面有潜在应用，是研究热点。 5.耐火材料与坩埚： 利用其高熔点、化学惰性和耐熔融金属侵蚀性，用于熔炼高纯金属（如铝、镓、砷）、半导体单晶（如砷化镓）的坩埚和炉衬材料。 6.光学应用： 紫外/红外光学窗口（需高纯、透明）。 声光调制器。 7.耐磨耐腐蚀部件： 在特殊环境下（如腐蚀性介质、高温）的耐磨部件、喷嘴、密封件等。

木易陶瓷自主研发并获的国家发明专利的铜碳复合材料，采用电沉积方法制备三维网络铜骨架。该三维网络多孔铜材料孔隙率在40%-95%，孔隙尺寸在0.3-2.0mm之间，并具有一定的力学性能。填充到铜网络的石墨可以采用提纯后的天然石墨或人造石墨，经烧结成型后得到电阻小、导电好、自润滑性好、对偶磨损小的复合材料。

氮化硅（Si₃N₄）是一种高性能陶瓷材料，因其优异的 **机械强度、耐热冲击性、电绝缘性 和 适中的热导率，在电子封装、功率模块和高温器件中作为基板材料备受关注。 核心优势 高机械强度：抗弯强度是Al₂O₃的2-3倍，抗热震性优异，适合高功率模块。   热匹配性好：CTE与Si、SiC芯片接近，减少热应力导致的失效。   综合热管理能力：热导率虽低于AlN，但机械性能更优，适用于高可靠性场景。  2. 氮化硅基板的应用 （1）功率电子封装 -IGBT模块：替代Al₂O₃/AlN，提高抗热震性（如丰田混动汽车）。   -SiC/GaN器件：匹配CTE，减少芯片开裂风险。   （2）高频通信 -5G射频器件：低介电损耗（tanδ <0.001），适合毫米波应用。   微波封装：用于雷达、卫星通信系统。   （3）高温传感器 发动机燃烧室压力传感器（耐高温、抗腐蚀）。   （4）LED散热基板 高功率LED封装，兼顾散热与机械支撑。  

六硼化镧（LaB₆）因其独特的电子发射性能和化学稳定性，在电子镀膜领域（尤其是热蒸发镀膜和电子束蒸发镀膜）具有重要应用。LaB₆在电子镀膜中凭借高效、稳定的电子发射能力，成为高精度镀膜工艺的核心材料，尤其在半导体和光学领域不可替代。未来发展方向包括纳米化阴极设计和复合掺杂技术，以进一步降低能耗并扩展应用范围。 1.优异的热电子发射性能 .低功函数（2.4-2.8eV），在高温下可高效发射电子，是理想的电子束蒸发源材料。 高电流密度（可达100A/cm²），显著提升镀膜效率，适用于大面积或高熔点材料的镀膜需求（如金属、氧化物薄膜）。 2.高温稳定性 .熔点高（2715°C），在真空环境中长期工作不易挥发或分解，寿命长于传统钨丝蒸发源。 .耐化学腐蚀，尤其适合活性材料（如铝、钛等）的镀膜，避免污染膜层。 3.电子束聚焦能力 .LaB₆阴极发射的电子束能量集中、束斑小，可精确控制镀膜区域，适用于微纳器件（如半导体、光学涂层）的精细镀膜。 4.应用场景 .电子束蒸发镀膜（E-beamEvaporation） LaB₆作为阴极电子源，用于沉积高熔点材料（如SiO₂、Al₂O₃、ITO等），广泛应用于： .半导体工业：集成电路的金属互联层（Al、Cu）。 .光学镀膜：增透膜、反射镜的多层介质涂层。 显示技术：OLED电极的透明导电膜（ITO）。 场发射显示器（FED） 利用LaB₆的低阈值场发射特性，开发高亮度、低功耗显示器件。 .扫描电子显微镜（SEM）电子源 替代传统钨灯丝，提供更高分辨率和稳定性。 5.技术挑战与改进 成本较高：LaB₆单晶制备复杂，可通过掺杂（如CeB₆）或优化烧结工艺降低成本。 .脆性大：需通过纳米结构设计或复合支撑结构（如钼基座）增强机械强度。 表面氧化：真空环境中需避免暴露于氧气，通常预加热除气以维持性能。 6.对比其他电子源材料 特性 LaB₆ 钨（W） 六硼化铈（CeB₆） 功函数（eV） 2.4 - 2.8 4.5 2.6 - 2.8 工作温度（℃） 1500 - 1800 2200 - 2500 1400 - 1600 寿命（小时） 500 - 1000 50 - 100 800 - 1200 适用场景 高精度镀膜 低成本常规镀膜 长寿命需求 六硼化镧（LaB₆）凭借其低功函数、高熔点、化学稳定性好、发射电流密度高、亮度高、寿命长等突出优点，已成为现代电子束蒸发镀膜设备中最主流和最理想的热阴极材料。它使得高效、稳定地蒸发各种高熔点和难熔材料成为可能，是获得高性能、高纯度薄膜的关键组件之一。其优异的性能显著提升了电子束镀膜工艺的生产效率和膜层质量。

湿式喷嘴是将水（或水与磨料的混合流体）加速并聚焦成高速射流的核心部件，通过动能冲击实现清洗、除锈、表面处理等功能，可以有效地减少喷砂过程中产生的粉尘污染。

迷你水喷嘴是专门用于具有环境保护要求的狭小空间的湿式喷嘴。

弧形喷嘴被称为香蕉喷嘴，设计用于精确喷射到狭小或难以触及的区域，如法兰背面和管道内的一些角落。弧形喷嘴常用的喷射范围是 40° 至 45°。

角度喷嘴（Angle Nozzle）是喷砂机中用于处理复杂几何结构、内腔及视觉死角的特种喷枪组件。其核心设计在于出口通道呈特定角度弯曲（常见15°、30°、45°、90°），使磨料流以非直线路径冲击工件表面。